**划重点:

1. 🚀 三星发布HBM3E12H内存芯片，星发新内性能新高宣称性能和容量均提升超过50%。布全

2. 💻 行业AI服务提供商需求增加，存芯新产品满足高容量需求，再创为AI时代高容量内存市场技术领先奠定基础。星发新内性能新高

3. 💰 分析师预计消息将对三星股价产生积极影响，布全公司计划于2024年上半年开始量产。存芯

CSS站长资源(ChinaZ.com) 2月27日 消息:三星电子于周二宣布研发出一款全新高带宽内存芯片，再创被誉为行业内“容量最大”产品。星发新内性能新高这款名为HBM3E12H的布全芯片据称“性能和容量均提升超过50%”。

三星表示:“行业的存芯AI服务提供商对更高容量的HBM需求日益增长，而我们的再创新产品HBM3E12H正是为满足这一需求而设计的。”三星电子内存产品规划执行副总裁Yongcheol Bae表示:“这一全新的星发新内性能新高内存解决方案是我们发展高层次HBM核心技术、在AI时代为高容量HBM市场提供技术领导力的布全一部分。”

三星电子是存芯全球最大的动态随机存取存储器芯片制造商，其产品广泛应用于智能手机和计算机等消费电子设备。随着生成式人工智能模型如OpenAI的ChatGPT对高性能内存芯片的需求增加，这类芯片使得生成式人工智能模型能够记住过去对话和用户偏好的细节，以生成更具人类感的回应。

人工智能的热潮继续推动芯片制造商的发展。美国芯片设计公司Nvidia在其第四财季营收中录得265%的增长，归因于其图形处理单元的需求激增，其中数千个用于运行和训练ChatGPT。

Nvidia首席执行官Jensen Huang在与分析师的通话中表示，公司可能无法在整个年度保持这一增长或销售水平。三星电子表示，随着人工智能应用的指数级增长，“HBM3E12H预计将成为未来需要更多内存的系统的最佳解决方案。其更高的性能和容量将使客户能够更灵活地管理资源，降低数据中心的总体拥有成本。”

三星表示已开始向客户提供该芯片样品，HBM3E12H的大规模生产计划于2024年上半年开始。

分析师SK Kim表示:“我认为这一消息将对三星的股价产生积极影响。去年，三星在Nvidia的HBM3方面落后于SK Hynix。此外，Micron昨天宣布HBM3E的24GB8L产品大规模生产。我认为这将确保三星在基于更高层次（12L）和更高密度(36GB)的HBM3E产品上取得领导地位。”

去年九月，据韩国经济日报报道，三星与Nvidia签署供应其高带宽内存3芯片的协议。该报道还称，韩国第二大内存芯片制造商SK Hynix领导高性能内存芯片市场。SK Hynix此前是唯一向Nvidia供应HBM3芯片的大规模生产商。

三星表示，HBM3E12H采用12层堆栈，但应用先进的热压缩非导电薄膜，使得12层产品具有与8层产品相同的高度规格，以满足当前HBM封装要求。结果是，芯片在不增加物理占地面积的情况下，提供更多的处理能力。

三星表示:“三星一直在降低其NCF材料的厚度，并在七微米（µm）的尺寸中实现芯片之间的最小间隙，同时消除了层间空隙。这些努力使其垂直密度比其HBM38H产品提高了超过20%。”

最后，三星电子强调该内存芯片的未来发展前景，并计划于2024年上半年开始量产。

(责任编辑：自媒体)