快科技4月4日消息，星谋下路3D晶体管正在各种类型芯片中铺开，堆叠3D DRAM内存也讨论了很多年，内存年但一直没有落地。星谋下路如今三星公开的堆叠路线图上，终于出现了3D DRAM。内存年

三星的星谋下路DRAM芯片制造工艺目前处于1b，后续还有1c、堆叠1d，内存年都是星谋下路10nm级别。

再往后的堆叠10nm以下节点，将分别命名为0a、内存年0b、星谋下路0c、堆叠0d，内存年其中打头的0a工艺预计2027年底-2028年初量产(月产能超过2万块晶圆)，0d则要到2032年。

就在进入10nm之后，三星将全面开启3D内存时代，首先引入VCT(垂直通道晶体管)，看起来应该是基础的FinFET类型，而非更先进的GAA。

大约2030-2031年的时候，三星将升级到堆叠DRAM，将多组VCT堆在一起，从而获得更大容量、更高性能，看起来还会引入电容器作为辅助。

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