快科技6月9日消息，明年根据摩根士丹利的内存最新报告，全球内存市场在2025年将迎来一次前所未有的将出供需失衡，这一现象主要由人工智能技术的现前需失快速发展和过去两年内存行业资本支出不足所驱动。

报告预计，所未水涨2025年HBM（高带宽内存）的有供供应不足率将达到-11%，而整个DRAM市场的格也供应不足率将高达-23%，特别是船高HBM的需求量预计将大幅增加，可能占总DRAM供应的明年30%。

这一供需失衡的内存情况预示着内存价格的显著上涨，报告中指出，将出商品存储产品的现前需失价格在2024年将以每季度两位数的速度上涨，而2025年HBM的所未水涨价格将更高，服务器DRAM和超高密度QLC固态硬盘将引领这一价格上涨趋势。有供

内存市场的格也这一超级周期”将为行业内的战略地位公司如SK海力士和三星带来市场份额的进一步增长。

摩根士丹利已将这两家公司的2024-25年的每股收益预测提高了24-82%，较最新的预期共识高出51-54%。

SK海力士预计将在2025年占据HBM市场的最大份额，其目标价被提高11%至30万韩元，而三星电子的目标价被提高至10.5万韩元。

内存市场的这一轮超级周期与以往有所不同，由于当前周期中行业的资本支出远低于维持产能所需的水平，自2022年第三季度以来产能一直在下降。

这种投资的缺乏正发生在内存供应链迅速转移到HBM之际，HBM的生产每比特所需的晶圆容量是普通DRAM的两倍，其生产良率也较低，进一步加剧了供需失衡的情况。

(责任编辑：业界)